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三星量产emram嵌入式磁阻内存:写入速度千倍于闪存

 发布时间：2020-06-19
就在不久前.intel宣布已经准备好大规模量产mram(磁阻式随机访问内存).这种综合了ram内存.nand闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据.写入速度则数千倍于闪存.可以兼做内存和硬盘.甚至统一两者.同时很 ...<全部>
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