议题内容:
电动车无刷电机控制器短路的工作模型
控制器在短路时mosfet的工作状态
计算mosfet瞬态温升的计算公式
设定短路保护时间的原则
皇冠最新app版本的解决方案:
温升公式:tj = tc p × rth(jc)
根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间
工作温度越高短路保护时间就应该越短
1 短路模型及分析
短路模型如图1所示,其中仅画出了功率输出级的a、b两相(共三相)。q1和q3为a相mosfet,q2和q4为b相mosfet,所有功率mosfet均为aot430。l1为电机线圈,rs为电流检测电阻。
当控制器工作时,如电机短路,则会形成如图1中所示的流经q2,q3的短路电流,其电流值很大,达几百安培,mosfet的瞬态温升很大,这种情况下应及时保护,否则会使mosfet结点温度过高而使mosfet损坏。短路时q3电压和电流波形如图2所示。图2a中的mosfet能承受45us的大电流短路,而图2b中的mosfet不能承受45us的大电流短路,当脉冲45us关断后,vds回升,由于温度过高,仅经过10us的时间mosfet便短路,vds迅速下降,短路电流迅速上升。由图2我们可以看出短路时峰值电流达500a,这是由于短路时mosfet直接将电源正负极短路,回路阻抗是导线,pcb走线及mosfet的rds(on)之和,其数值很小,一般为几十毫欧至几百毫欧。
2 计算合理的保护时间
在实际应用中,不同设计的控制器,其回路电感和电阻存在一定的差别以及短路时的电源电压不同,导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同,所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间。
短路保护时间计算步骤:
2.1 计算mosfet短路时允许的瞬态温升
因为控制器有可能是在正常工作时突然短路,所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。mosfet的结点温度可由下式计算:
tj = tc p × rth(jc)
其中:
tc:mosfet表面温度
tj:mosfet结点温度
rth(jc):结点至表面的热阻,可从元器件date sheet中查得。
理论上mosfet的结点温度不能超过175℃,所以电机相线短路时mosfet允许的温升为:trising = tjmax - tj = 175-109 = 66℃。
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2.2 根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻
由图2可知,短路时mosfet耗散的功率约为:
p = vds × i = 25 × 400 = 10000w
脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为excel格式的数据,然后通过excel进行积分,从而得到比较精确的脉冲功率数据。
对于mosfet温升计算有如下公式:
trising = p × zθjc × rθjc
其中:
rθjc------结点至表面的热阻,可从元器件date sheet中查得。
zθjc------热阻系数
zθjc = trising ÷( p × rθjc)
zθjc = 66 ÷ (10000 × 0.45)= 0.015
2.3 根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间
由图3最下面一条曲线(单脉冲)可知,对于单脉冲来说,要想获得0.015的热阻系数,其脉冲宽度不能大于20us。
3 设计短路保护应注意的几个问题
由于不同控制器的pcb布线参数不一样,导致相线短路时回路阻抗不等,短路电流也因此不同。所以,不同设计的控制器应根据实际情况设计确当的短路保护时间。
由于应用中使用的电源电压有可能不同,也会导致短路电流的不同,同样也会影响到保护时间。
注意控制器实际工作时的可能最高温度,工作温度越高,短路保护时间就应该越短。
本文讨论的短路保护时间是指mosfet能承受的最长短路时间。在设计短路保护电路时,应考虑硬件及软件的响应时间,以及电流保护的峰值,这些参数都会影响到最终的保护时间。因此,硬件电路设计和软件的编写致关重要。
本文讨论的短路保护时间是单次短路保护时间,短路后短时间内不能再次短路。如果设计成周期性短路保护,则短路保护时间应更短。
4 结论
短路保护在瞬间大电流时能对mosfet提供可靠的快速保护,大大增加了控制的可靠性,减少了控制器的损坏率。
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